半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)競賽火熱化 又一大廠砸170億美元擴(kuò)產(chǎn)
全球半導(dǎo)體代工廠你追我趕,擴(kuò)產(chǎn)“軍備競賽”進(jìn)一步火熱化。繼臺積電之后,全球半導(dǎo)體龍頭三星電子也將在美國擴(kuò)產(chǎn)。
11月24日,三星電子正式宣布,將在得克薩斯州泰勒市新建一半導(dǎo)體制造工廠,投資規(guī)模高達(dá)170億美元。
芯片制造業(yè)加大投資
三星電子表示,170億美元的投資包括場地、物業(yè)改善、機(jī)器設(shè)備,該廠將成為三星在美國有史以來最大的投資,也將使三星在美國的總投資超過470億美元。
新廠將于2022年上半年破土動工,目標(biāo)是在2024年下半年投入運(yùn)營。泰勒工廠占地超過 500萬平方米,預(yù)計將和韓國平澤市的最新生產(chǎn)線一起,成為三星半導(dǎo)體制造能力的關(guān)鍵產(chǎn)地。
新工廠將生產(chǎn)基于先進(jìn)工藝技術(shù)的產(chǎn)品,應(yīng)用于移動、5G、高性能計算 (HPC) 和人工智能等領(lǐng)域。
臺積電和三星除了在制造工藝上競爭激烈,兩者也在加大全球各地的布局。目前,全球各地政府為了保障供應(yīng)鏈安全,要求晶圓廠增加本土制造,美國更是出臺相關(guān)法案,將釋放 540億美元用于激勵在美國進(jìn)行半導(dǎo)體生產(chǎn)和研究。
就在2020年,臺積電宣布,計劃斥資120億美元在美國亞利桑那州建造一座5納米芯片工廠。首批美國雇傭的工程師在今年4月下旬已經(jīng)抵達(dá)中國臺灣,接受5納米技術(shù)培訓(xùn)。
臺積電預(yù)計,美國工廠的半導(dǎo)體設(shè)備將在2022年下半年進(jìn)廠,5納米一期月產(chǎn)2萬片晶圓的項目將于2024年開始量產(chǎn)。
臺積電董事長劉德音在中期業(yè)績上表示。
不過,據(jù)了解,臺積電的美國工廠進(jìn)展并不算順利。有臺積電員工稱,美國工程師并不能接受臺積電的高強(qiáng)度工作節(jié)奏,而且美國建廠的成本太高。
有多名美國工程師在美國一家人力資源網(wǎng)站上,對臺積電的評價是“工作時間太長”“壓力太大”。
“軍備競賽”火熱化
今年以來,在持續(xù)的“缺芯”形勢下,晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)火熱化。
11月12日,中芯國際公告稱,中芯控股、國家集成電路基金二期(下稱“國家大基金二期”)和海臨微訂立臨港合資協(xié)議,共同成立臨港合資公司,總投資額為88.66億美元。
10月21日,存儲巨頭美光科技宣布,將于未來十年內(nèi),在存儲器制造和研發(fā)上投入超過1500億美元,以滿足2030年對存儲的需求。
臺積電也在10月14日正式宣布,將赴日本設(shè)立晶圓制造廠,預(yù)計2022年開始建廠,2024年開始投產(chǎn)。該廠初步規(guī)劃以22/28納米特殊工藝為主。值得注意的是,該項資本開支不包含在此前宣布的1000億美金之內(nèi)。
臺積電此前宣布三年投1000億美元;臺聯(lián)電公布1000億新臺幣(約合35.8億美元)投資案,擴(kuò)充在南科的12英寸廠;三星電子將在2030年前增加對System LSI和Foundry業(yè)務(wù)領(lǐng)域的投資,投資總額擴(kuò)大至171萬億韓元(約1516億美元),以加快先進(jìn)半導(dǎo)體工藝技術(shù)的研究和新生產(chǎn)設(shè)施的建設(shè);英特爾宣布多項擴(kuò)產(chǎn)計劃,一方面擬在美國亞利桑那州投資約200億美元新建兩座晶圓廠,另一方面希望成為晶圓代工的主要提供商。
而全球第四大晶圓代工廠也趁“缺芯”順利IPO。10月28日,格芯在納斯達(dá)克證券交易所上市,其首次公開募股籌集了近26億美元。這是2021年美國最大的首次公開募股募集資金,也是歷史上最大的半導(dǎo)體IPO。
格芯CEO湯姆·考菲爾德(Tom Caulfield)在接受媒體采訪時表示,現(xiàn)在的產(chǎn)能利用率已經(jīng)超100%,公司的晶圓產(chǎn)能到2023年底都已售罄。
根據(jù)格芯的規(guī)劃,未來兩年將投入60億美元,用于擴(kuò)大其在新加坡、德國和美國工廠的產(chǎn)能。其中,新加坡投資超過40億美元,德國和美國各投資10億美元。
關(guān)鍵詞: 擴(kuò)產(chǎn) 半導(dǎo)體 美元
責(zé)任編輯:孫知兵
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