技術硬核：英諾賽科率先實現8英寸硅基氮化鎵晶圓規模化量產

放眼全球，第三代半導體尤其是氮化鎵市場正呈現出廣闊的發展前景。根據沙利文預測，2023年是氮化鎵產業開啟指數級增長的元年，后續將以98.5%的復合年增長率加速增長，由2024年的人民幣32.28億元增長至2028年的人民幣501.42億元。

英諾賽科作為行業龍頭，帶動氮化鎵產業發展，業績增長勢頭迅猛，是率先實現且唯一實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產的公司，其技術實力和市場地位顯著。在創始人駱薇薇博士的帶領下，根據弗若斯特沙利文的資料，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體產能。

據其招股書顯示，截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計，公司的累計出貨量超過5億顆，是全球氮化鎵出貨量的領軍企業。這不僅凸顯了公司在氮化鎵功率半導體行業的領導地位，也為其市場擴張提供了堅實基礎。

在營收方面，英諾賽科的年度收入從2021年的6821.5萬元人民幣躍升至2023年的5.9億元人民幣，收入復合年增長率高達194.8%，其迅猛的增長態勢展現出公司強大的市場競爭力。

英諾賽科已在中國蘇州建立全球研發中心，將其定位為第三代半導體材料及芯片的領先研發中心。截至2023年12月31日，公司的研發工作已累計獲得213項專利，其中包括173項發明專利及40項實用新型專利，以及480項專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。于2021 年至2023 年，公司的研發開支合計達人民幣15.92億元。

英諾賽科蘇州研發樓

基于8英寸硅基氮化鎵技術平臺，英諾賽科開發了一系列技術，包括氮化鎵材料技術、8英寸硅基氮化鎵產品設計技術，及8英寸硅基氮化鎵生產工藝技術。在8英寸硅基氮化鎵晶圓技術方面的進步，使公司遙遙領先于競爭對手。憑借強大的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產技術，公司突破了每月10,000片晶圓的生產瓶頸，實現了產業規模的商業化，截至2023年12月31日，晶圓良率超過95%。

出色的量產能力結合先進的制造工藝，已轉化為顯著的先發優勢，助力英諾賽科成為世界上首家在產業規模上商業化8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司。依托成熟的商業化能力，可充分彰顯公司創新能力，并有效地將創新成果推向市場，持續鞏固其在氮化鎵半導體行業的領導地位，實現價值蝶變與驚艷成長。

相較于傳統的6英寸晶圓，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵晶圓展現出多方面的優勢。晶圓晶粒產出數提升了80%，單一器件成本降低30%。此外還具有高開關頻率、零反向恢復電荷、低柵極電荷及低輸出電荷的特點。

為了滿足客戶的特定需求，英諾賽科成品晶圓未進行切割及封裝處理，可由客戶靈活地進行切割并按照其產品設計進行集成電路封裝。這種服務模式增強了其市場競爭力，并贏得了眾多客戶的青睞。

值得注意的是，英諾賽科的所有分立器件產品均可以晶圓形式銷售，為客戶提供更多選擇。同時，公司還提供晶圓外延生長加工服務，利用領先的MOCVD設備和專有技術，生產出高品質、低成本的外延產品。

綜上所述，英諾賽科憑借領先的8英寸硅基氮化鎵晶圓量產技術和出色的市場表現，在半導體產業中脫穎而出。展望未來，隨著技術和市場的不斷發展，英諾賽科有望在全球半導體領域扮演更加重要的角色。

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