慧智微:自主創新可重構射頻前端技術架構 賦能國產5G產業發展-當前觀察
5月4日,深耕國內射頻前端國產替代的慧智微(688512.SH)開啟網上公開申購。據了解,慧智微專注于射頻前端芯片及集成化模組的設計研發,公司以射頻功率放大器PA芯片為核心,已經衍生出低噪聲放大器(LNA)、射頻開關(Switch)、集成無源器件濾波器(IPD Filter)、控制及系統級封裝等方面的設計技術,具有高集成射頻模組研發能力,下游廣泛應用于智能手機、物聯網等領域。
(資料圖片)
公司所處的射頻前端芯片行業空間廣闊、國產化程度低,公司產品覆蓋的通信頻段包括2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕頻段、3GHz6GHz的5G新頻段等,可為客戶提供無線通信射頻前端發射模組芯片、接收模組芯片等成熟的解決方案。
作為一家以技術驅動為核心競爭力科創企業,公司積極加大研發投入,2020年至2022年,公司累計研發投入48,905.65萬元,占營業收入的比例為45.37%。憑借突出的技術研發能力,2020年,公司在國產廠商中率先大規模量產5G L-PAMiF產品,并陸續應用于OPPO、三星、vivo等品牌客戶機型。目前,大基金二期持有公司6.54%股份。
自研可重構射頻前端平臺“絕緣硅+砷化鎵”鑄造競爭壁壘
在射頻功率放大器領域,傳統射頻PA采用全砷化鎵功率放大器結合體硅控制器的寬帶設計架構,該設計架構已經被國際射頻前端龍頭企業所壟斷。如果新進企業采用固有的技術跟隨和產品模仿策略,則需要多次設計迭代找到最優設計方案,同時全球產能供應有限,成本較高,嚴重依賴規模效應,為國產廠商設置了較大的專利門檻、規模門檻和成本門檻。
公司研發了擁有自主知識產權的AgiPAM可重構射頻前端平臺,采用“絕緣硅(SOI)+砷化鎵(GaAs)”的混合架構,創新性的將模擬預失真(APD)應用于多頻段、多模式和多載波的4G/5G系統中,同時提出并設計了可重構射頻功放的記憶效應消除電路,突破國際巨頭的專利壁壘。
公司“多頻多模移動終端可重構射頻芯片關鍵技術與產業化應用”項目獲得了2021年通信學會科學技術一等獎。據了解,獲獎產品相對于傳統方案芯片產品,在移動終端射頻芯片關鍵頻段的功耗降低了15%、線性度改善了4dBc、負壓電路啟動時間減少50%,大幅提升射頻前端的集成度,并在射頻前端中成功實現全倒裝封裝,進而實現產品性能提升、成本降低。
深度布局5G射頻前端產品線,引領5G L-PAMiF產品演進
在5G市場中,由于新頻段(3GHz6GHz)的高頻率、大帶寬、高功率特征,為射頻功率放大器的設計帶來較大挑戰,且對射頻前端器件的集成度要求越來越高。慧智微基于底層技術架構創新,于2020年推出5G新頻段L-PAMiF全集成發射模組產品進入頭部客戶供應體系,已在OPPO、三星等品牌機型上大規模量產應用,產品受到市場的認可度較高,報告期內累計出貨已超千萬顆。
公司的5G新頻段L-PAMiF在國產廠商持續保持技術領先優勢,該產品在2020年中國集成電路產業促進大會中榮獲第十五屆“中國芯”年度重大創新突破產品,系該獎項設立以來的首個獲獎的射頻前端產品。
公司持續跟進客戶需求和技術升級趨勢,為全球客戶提供完整的5G新頻段射頻前端解決方案。目前,公司在售的產品型號眾多,產品系列覆蓋的通信頻段需求包括2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕頻段、3GHz~6GHz的5G新頻段等,后續推出的多款產品均榮獲大獎。如可支持n77/n78頻段的1T1R/1T2R L-PAMiF產品榮獲第十六屆“中國芯”優秀技術創新產品獎、可重構多頻多模功率放大器模組(MMMB PAM)榮獲第十七屆“中國芯”優秀市場表現產品獎項。
憑借高集成度、高性價比、性能可靠穩定的特點,以及5G新頻段產品的口碑和技術沉淀,公司贏得了頭部客戶的認可,形成了良好的品牌效應。目前,公司的射頻前端模組已經在三星全球暢銷系列A225G手機、OPPO、vivo、榮耀等智能手機機型中實現大規模量產,并進入聞泰科技(600745)、華勤通訊、龍旗科技等一線移動終端設備ODM廠商。
此外,公司積極布局物聯網領域,在2G/3G退網的趨勢下大力拓展LTE Cat.1蜂窩連接領域的市場機會。公司已經與頭部的Cat.1通信模塊公司達成戰略合作,4G發射模組進入移遠通信(603236)、廣和通(300638)、日海智能等頭部無線通信模組廠商,廣泛應用于資產追蹤、車載運輸、數字標牌、無線支付、智慧能源、智能可穿戴設備等眾多物聯網場景。
高集成化的技術儲備充分L-PAMiD產品有望繼續領先
公司以研發創新為核心,截至2022年末公司研發團隊共計212人,核心技術人員平均從業年限超過15年,具備從砷化鎵器件、絕緣硅器件、基板,到集成化模組等完整的研發設計能力,可同時支撐超過10個中大型研發項目。
公司沉淀了大量的技術積累,形成了完善的產品矩陣。例如,公司的“多功能模塊的低互擾高集成技術”可以實現將多個絕緣硅材料的晶圓進行單芯片集成,降低了5G新頻段射頻前端空間布局的難度,有利于實現高集成度;公司采用全倒裝封裝技術,提高了器件之間的排布密度,實現射頻前端模組的小型化,提高了高集成度、高功率產品的散熱能力。此外,公司在可重構射頻前端架構中積累了處理大帶寬、大電流、線性度不足等技術問題的相關技術和經驗。
慧智微基于自主創新的技術架構,優化芯片面積和性能,具有5G L-PAMiF高集成模組的成功基礎,以及在手機客戶端領先的技術認知,慧智微有望實現L-PAMiD的產品在國內行業內繼續領先。
截至報告期末,公司已獲取境內發明專利66項,境外發明專利25項。一方面,公司在射頻前端領域構筑了完整的專利池,規避采取跟隨策略帶來的專利風險;另一方面,高集成度相關的技術積累將助力公司持續發展。二者共同支撐公司走向國際市場、參與全球化競爭。
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責任編輯:孫知兵
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